Cientistas da Universidade Illinois, nos Estados Unidos, anunciaram o desenvolvimento de um transistor que atinge uma freqüência de 845 Gigahertz.
O componente foi apresentado para cientistas americanos esta semana, durante a International Electronics Device, que acontece em São Francisco.
De acordo com seus criadores, o transistor é 50% mais veloz que outros experimentos existentes no mundo e aproxima a comunidade científica da meta de criar o primeiro transistor com velocidade de um terahertz
Transistores mais rápidos permitem projetar computadores mais velozes e desenvolver redes sem fio mais seguras, além de abrir muitas possibilidades para a indústria criar eletrônicos mais eficazes que os atualmente conhecidos, afirmou o grupo responsável pela pesquisa.
O transistor de 845 Gigahertz é feito de uma composição metálica mais refinada, à base de fosfito de índio e de arseneto de gálio. Transistores convencionais são fabricados a partir de misturas de silício e germânio.
O transistor usa ainda componentes de dimensões mais reduzias. A base do transistor tem apenas 12,5 nanômetros de espessura, diz a Universidade Illinois.
Fonte: INFO